东南大学「国家杰青」，最新Nature Electronics！

2024-11-08

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近日，东南大学章琦，吕俊鹏以及倪振华团队在Nature Electronics期刊上发表了题为“Light-emitting diodes based on intercalated transition metal dichalcogenides with suppressed efficiency roll-off at high generation rates”的最新论文。

图源：Nature Electronics官网

文中提出了一种基于等离子插层的少层过渡金属二硫属化合物（TMD）结构的新型LED。通过将氧等离子体插层到少层的二硫化钼（MoS₂）和二硫化钨（WS₂）中，他们制备出量子阱状的超晶格结构，使层间的紧密结合得到缓解，从而堆叠形成准单层结构。这种插层处理在抑制激子-激子相互作用的同时，减小了激子的玻尔半径和扩散系数，显著提高了发光亮度，且在高激子密度下无效率下降效应。

研究结果表明，这种基于插层的MoS₂和WS₂少层LED在高生成率条件下表现出较好的外量子效率（EQE），其中MoS₂的EQE达到0.02%，WS₂的EQE则高达0.78%。此项研究为二维材料LED在高激子生成率下实现无效率下降提供了一种新的技术路径，有望推动其在光通信和显示领域的进一步应用。

论文链接：

https://doi.org/10.1038/s41928-024-01264-3

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