相变存储器神经形态关键技术研究
项目批准号：
91964204
负责人：
宋志棠
省份：
上海市
资助金额：
293万元
批准年份：
2019年
学科分类：
-
关键词：相变存储器；多值；突触；神经形态；存储阵列
二维层状材料及其异质器件集成
项目批准号：
91964203
负责人：
何军
省份：
湖北省
资助金额：
300万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：二维材料；范德华外延；异质结构；新原理器件；异质集成
超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究
项目批准号：
91964202
负责人：
刘艳
省份：
陕西省
资助金额：
300万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：FinFET；负电容
低能耗拓扑场效应晶体管新型器件研究
项目批准号：
91964201
负责人：
廖志敏
省份：
北京市
资助金额：
307万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：拓扑保护；拓扑相变；自旋-动量锁定；拓扑半金属；拓扑表面态
铁电晶体管存算可调机制和工艺研究
项目批准号：
91964110
负责人：
李秀妍
省份：
上海市
资助金额：
80万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：负电容效应；铁电晶体管；存算可调机制；存算一体器件；铁电极化反转动力学
多物理场对电子自旋的调控机理及其存储器研究
项目批准号：
91964109
负责人：
刘明
省份：
陕西省
资助金额：
80万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：磁存储器；磁电耦合；多物理场调控；自旋调控
非易失性CMOS忆阻器及其构成的计算存储融合可重构交叉阵列架构
项目批准号：
91964108
负责人：
王春华
省份：
湖南省
资助金额：
80万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：放大器；忆阻器；交叉杆阵列；可重构；神经网络
基于超薄硅的场效应晶体管型光电神经突触器件研究
项目批准号：
91964107
负责人：
皮孝东
省份：
浙江省
资助金额：
80万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：认知存储器件；神经突触器件
亚50纳米沟长的准弹道输运黑磷晶体管
项目批准号：
91964106
负责人：
李学飞
省份：
湖北省
资助金额：
80万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：二维原子晶体；短沟道；弹道输运；载流子速度；低频噪声
材料缺陷调控铁电器件性能的基础研究
项目批准号：
91964105
负责人：
陈杰智
省份：
山东省
资助金额：
80万元
批准年份：
2019年
学科分类：
关键词：铁电器件；铁电材料；缺陷调控
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