应用于后摩尔时代低功耗CMOS器件的晶圆级二维TMDCs单晶材料的原子制造与性能调控
项目批准号：
92064007
负责人：
陈翔
省份：
江苏省
资助金额：
79万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：二维过渡金属硫化物；金属有机物化学气相沉积；低功耗；隧穿晶体管；互补金属氧化物半导体
基于新型存储器件的存内计算跨层次设计方法与仿真平台研究
项目批准号：
92064006
负责人：
孙广宇
省份：
北京市
资助金额：
80万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：存算一体体系结构；跨层次设计探索；仿真平台；存算一体新器件；设计自动化
高迁移率二维半导体超低功耗器件的开发与探索
项目批准号：
92064005
负责人：
吴金雄
省份：
天津市
资助金额：
81万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：高迁移率；二维半导体；超低功耗器件；场效应晶体管；亚60 毫伏/量级
基于忆阻动力学的新型神经形态器件与神经网络计算架构
项目批准号：
92064004
负责人：
杨玉超
省份：
北京市
资助金额：
300万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：神经形态器件；类脑芯片；忆阻器；神经形态信息材料；神经网络
新型极低功耗铁电场效应管存算一体器件研究
项目批准号：
92064003
负责人：
殷华湘
省份：
北京市
资助金额：
300万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：铁电场效应管；鳍型场效应晶体管；存算一体；电筹反转；电荷俘获
突破异质集成的新材料和器件原理研究
项目批准号：
92064002
负责人：
Radamson Henry Homayoun
省份：
北京市
资助金额：
300万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：薄膜晶体管；High-k栅介质；器件结构；驱动能力；薄膜电子器件集成工艺
高能效的忆阻器存算一体芯片研究
项目批准号：
92064001
负责人：
高滨
省份：
北京市
资助金额：
300万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：阻变存储材料与器件；存算一体；忆阻器；能效；非易失性存储器
功能基元序构的高性能材料战略研究
项目批准号：
92063000
负责人：
张清杰
省份：
湖北省
资助金额：
300万元
批准年份：
2020年
学科分类：
-
关键词：高性能材料；功能基元序构；按需设计；变革性技术；战略研究
人工地球化学微环境下白云鄂博复杂铌矿的矿相转化与富集利用
项目批准号：
92062223
负责人：
陈雯
省份：
湖南省
资助金额：
300万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：白云鄂博复杂铌矿； 人工地球化学； 微环境；矿相转化； 烧绿石
花岗岩浆分异和流体出溶过程中稀有金属分配行为的实验研究
项目批准号：
92062222
负责人：
熊小林
省份：
广东省
资助金额：
303万元
批准年份：
2020年
学科分类：
关键词：稀有金属；花岗岩；矿物/熔体；流体/熔体；分配行为
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