教授
郑新和
  • 所属院校:
    北京科技大学
  • 所属院系:
    数理学院
  • 研究领域:
    III族氮化物半导体薄膜与低维结构的原子层外延生长,新型氮化镓/二维体系异质结热电子晶体管,原子层沉积在太阳能电池、储能电池中的应用,发光二极管芯片设计与计算,薄膜物性表征与分析项目包括国家重点基础研究计划、国家自然科学基金、上海空间电源研究所、苏州市国际合作、与日本索尼公司国际合作、横向项目等
  • 职称:
    教授
  • 导师类型:
    --
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

教育经历 2002年6月毕业于中国科学院半导体研究所,获博士学位。 工作经历 博士毕业后工作于中国科学院物理研究所、源顺国际有限公司(北京)和中国石油大学(北京),曾前往德国、智利及台湾从事技术培训和博士后方面的研究工作。2009年3月至2014年3月,工作于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,任研究员、博士生导师。2014年起加盟北京科技大学物理系,任教授、博士生导师。一直从事氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和砷化镓(GaAs)等半导体薄膜和量子阱(QW)结构的生长、物理性能分析与光电器件(发光二极管和太阳能电池)方面的研究。目前正在进行III族氮化物原子层外延生长、新型GaN/二维体系热电子晶体管以及原子层沉积应用方面等的研究工作

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