所属院校:

北京科技大学

所属院系:

新材料技术研究院

研究领域:

碳材料电子器件的研究与应用 单晶金刚石的大尺寸制备和应用 高功率电子器件的热管理 功能薄膜、二维材料及等离子体表面改性 大面积高质量金刚石膜的制备专利 　　1.刘金龙，李成明，陈良贤，化称意，郭建超，闫雄伯，黑立富，魏俊俊。一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法。专利号：201410738255.8. 　　2.刘金龙，李成明，陈良贤，郭建超，闫雄伯，魏俊俊，黑立富。一种GaN/金刚石膜复合片的制备方法。专利号：201410498719.2 　　3.刘金龙，李成明，苗建...

职称:

副研究员

导师类型:

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招生专业:

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