教授
段宝兴
  • 所属院校:
    西安电子科技大学
  • 所属院系:
    微电子学院
  • 研究领域:
    主要从事: (1)硅基功率器件与集成; (2)宽带隙半导体功率器件; (3)45nm后CMOS关键技术研究。 首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计;与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题;最近首次在国际上提出了完全3-DRESURF概念并已被国际同行认可。
  • 职称:
    教授
  • 导师类型:
    博导
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

个人简介 陕西大荔人,博士,教授,博士生导师。 2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位;2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。 2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究,主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计,期间在台湾国立大学进行学术交流八个月,主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究,从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。 2009年博士后出站以人才引进方式评为副教授,2012年7月破格评为教授,2012年12月聘为博士生导师。 学术论文 先后在《IEEEELECTRONDEVICELETTERS》、《IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES》、《Solid-StateElectronics》、《ScienceinChinaSeriesF:InformationSciences》、《ChinesePhysics》、《ChinesePhysicsLetters》、《中国科学》、《半导体学报》等国际国内重要期刊上发表论文40余篇,其中30篇次被SCI、EI检索。 科研团队 团队教师 博士研究生 硕士研究生 邵鸣张迪宇 课程教学 目前本人承担的教学任务: 半导体物理Ⅱ 课件下载示例

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