个人简介

學歷 •交通大學 台灣 電子物理學 博士 1991年09月 ~ 1997年07月 現職與經歷 現職：國立清華大學物理系教授 研究興趣與成果 1. 在半導體高壓研究方面：以鑽石高壓砧 (Diamond Anvil Cell, DAC)，搭配 X 光繞射 (XRD)、拉曼光譜 (Raman Scattering Spectroscopy)，對氧化鋅摻雜錳、鈷等稀磁性半導體及硒化鐵 (FeSe) 層狀結構超導體材料的相變結構、聲子模 (phonon modes) 等做深入探討。顯示氧化鋅摻雜錳稀磁性半導體纖鋅礦結構（würtzite structure, B4) 轉變成氯化鈉相結構(rocksalt structure, B1)比其他研究群所研究之起始壓力更為提早，顯示具晶格場 (crystal field) 磁性原子的摻雜影響氧化鋅晶體結構的穩定性。於昇壓過程中，纖鋅礦結構中c軸比a軸更容易被壓縮，在相轉變發生前，c/a 值漸次下降，平行c軸的陰陽原子間的鍵長幾乎沒有改變，而相轉變開始後c/a 值漸次上升，陰陽原子間的鍵長也增加，直到相轉變完成，與其他研究群所提出氧化鋅相轉變模型的「hexagonal」路徑一致。對硒化鐵層狀結構超導體材料研究結果顯示，壓力漸次上升硒化鐵由四方結構轉變成六方結構，在昇壓的過程中，四方結構的 c軸比 a 軸更容易壓縮，昇壓約在4 GPa 有結構鬆散的現象，在結構相轉變時，四方體與六方體結構的重量比例、原子距離、鍵結角度會急遽的改變，壓力參數與超導轉變溫度有相當的關係。 2.在氧化鋅奈米柱及薄膜成長方面：以橫向高溫爐及原子層沉積設備 (Atomic Layer Deposition, ALD)，搭配國家同步輻射中心 BL17B 薄膜 X 光譜分析對氧化鋅奈米柱及薄膜成長機制作深入探討，利用控制對成長氣氛儲存反應時間，成功成長出質優的氧化鋅奈米柱及薄膜。氧化鋅薄膜成長方面以二乙基鋅(diethylzinc, DEZn)與去離子水做為前驅物，成長氧化鋅磊晶薄膜於 c面與m面藍寶石基板上。發表研製新氣流中斷法(flow rate-interruption method, FIM)與傳統連續氣流法對於成長在c面藍寶石基板上之氧化鋅薄膜結構與發光特性之變化及在m面藍寶石基板上成長出非極性的磊晶薄膜。改變不同的成長溫度，由XRD顯示在40-160℃是較佳的成長溫度窗口，較傳統連續氣流法所成長的薄膜品質較優。光激冷光發光譜顯示使用氣流中斷法可增強發光強度。由同步輻射光實驗得到氧化鋅薄膜(101)和藍寶石基板(113)排列在一起，Φ 角掃描得到軸對稱，顯示是磊晶薄膜。另外在200℃使用氣流中斷法成在m面氧化鋁基板上長出相異週期數的氧化鋅磊晶薄膜，Φ角掃描分析氧化鋅磊晶薄膜(002)與藍寶石基板(020)是二重對稱，顯示是磊晶薄膜。由CTR(crystal-truncation-rod) 掃描分析得知氧化鋅薄膜與m面藍寶石基板兩者的晶胞結合相對關係分別是[002]氧化鋅∥[020]藍寶石與[020]氧化鋅∥[006]藍寶石。高解析穿透顯微鏡（High Resolution Transmission Electron Microscope, HRTEM）與XRD的比較得知鏡相是來自於薄膜與基板的介面，薄膜品質和螢光強度隨著膜厚而增加。 A. Other Publications： 01. 林志明, "超高壓技術簡介-應用於半導體相變研究",物理雙月刊, 二十卷, p.600 (1998). 02.林志明、黃慶祥, "電子自旋共振之原理與實驗介紹",國教世紀雙月刊, 199期, p.5 (2002). 03. 林志明、洪慈蓮、顏至良, "3ds max 5 動畫製作實務介紹-1",國教世紀雙月刊, 209期, p.33 (2004). 04. 林志明、吳恭德、黃彥衡、湯茂竹、陳昌祈、李志浩、洪慈蓮, "Spring-8 BL12B2超高壓X光吸收光譜實驗站之建立",物理雙月刊, 二十六卷, p.425 (2004).