研究员
刘洪刚
  • 所属院校:
    中国科学院微电子研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    高迁移率CMOS器件;射频/微波集成电路;绿色光电子器件专利成果 (1)高迁移率III-V族半导体MOS界面结构,发明,2010,第1作者,专利号:201010118896.5 (2)一种高迁移率CMOS集成单元,发明,2010,第2作者,专利号:201010578514.7 (3)一种高迁移率衬底结构及其制备方法,发明,2011,第2作者,专利号:201010578522.1 (4)一种硅基张应变衬底结构及其制备方法,发明,2011,第2作者,专利号:20111012432...
  • 职称:
    研究员
  • 导师类型:
    --
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

刘洪刚,男,1974年生,博士,研究员。2003年7月于中科院微电子研究所获博士学位,博士论文主要研究GaAsHBT微波器件与高速光通信集成电路;2003年9月赴加拿大SimonFraser大学从事毫米波器件与电路方面的研究,研发成功的毫米波InP/GaAsSbDHBT技术,目前已经应用于安捷伦(Agilent)公司的高频测量仪器中;2006年2月加入瑞士联邦理工学院(ETHZurich)从事太赫兹电子器件方面的研究,实现了0.6THz太赫兹晶体管;2008年6月在多伦多大学负责高效低成本晶体硅太阳电池的研发工作;2009年9月受聘为中科院微电子研究所研究员、博士生导师,2010年获中科院择优支持。

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