研究员
韩郑生
  • 所属院校:
    中国科学院微电子研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    集成电路技术科研项目 (1)ESD研究用传输线脉冲发生器,主持,国家级,2010-01--2012-12 参与会议 (1)数值模拟技术在总剂量效应物理机理、效应规律研究中的应用概述及待研究问题电子器件、电路和系统辐射效应数值模拟技术研讨会韩郑生2016-07-21 专利成果 (1)一种SOINMOS总剂量辐照建模方法,发明,2010,第3作者,专利号:201010251985.7 (2)电流灵敏放大器,发明,2009,第2作者,专利号:200910305971.6 (3)具有...
  • 职称:
    研究员
  • 导师类型:
    --
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

教育背景 1979.9-1983.6:西安交通大学半导体物理与器件,本科毕业,获学士学位。 1985.9-1988.6:西安交通大学半导体物理与器件,研究生毕业,获硕士学位。 工作简历 1997.4-今:中国科学院微电子中心(现改为中国科学院微电子研究所)从事集成电路工艺技术、电路设计、研究生管理及研究室管理工作,曾任高级工程师,光刻工艺负责人,研究室副主任兼任测试工艺负责人,硅工程中心产品部主任,项目/课题负责人,硅器件与集成技术研究室主任,所副总工程师、所第三届学术委员会主任。现任所总工程师、学术委员会副主任、学位委员会副主席、二级研究员、中国科学院大学教授、博士生导师、硅器件与集成技术研发中心总设计师。国家特殊津贴获得者。 北京电力电子学会理事,中国科学院硅器件技术重点实验室学术委员会委员,中国科学院大学微电子学院教学委员会委员。 1999.6-2000.6:香港科技大学,访问学者。 1994.4-1997.3:北京精确微电子研究所,从事集成电路设计工作,任技术负责人。 1993.9-1994.3:北京盈发科技公司,从事集成电路设计工作,任集成电路部副经理。 1988.6-1993.8:北京燕东微电子联合公司,从事集成电路工艺技术、新产品开发及生产线管理,曾任工程师,车间主任,主任工程师。 1983.7-1985.8:电子工业部878厂,从事集成电路工艺技术工作,扩散班长获奖及荣誉: “亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究”获2005年国家技术发明二等奖; “高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究”获2004年北京市科学技术一等奖; “0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究”获2004年北京市科学技术二等奖。 2009年获国防科学技术进步二等奖。 2016年获中国科学院“朱李月华优秀教师奖”

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