研究员
樊晓华
  • 所属院校:
    中国科学院微电子研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    高性能模拟/射频/混合CMOS集成电路(LNA，Mixer,LPF,ADC/DAC,PLL,CMOSPA,LDO等),TD-LTE/GSM等3G/4G多模手机移动通讯射频芯片，卫星导航定位通讯系统，RFID读写器/标签系统，短距离无线通讯系统，电源管理芯片等。科研项目 （1）TD-LTE终端射频芯片研发,主持,省级,2011-07--2013-06 （2）高性能模拟射频集成电路研究,主持,市地级,2012-10--2015-10 （3）TD-SCDMA/TD-LTE双模射频芯...
  • 职称:
    研究员
  • 导师类型:
    --
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

教育背景 2002-2007年，美国TexasA&MUniversity获电气工程专业哲学博士 1998-2001年，中科院微电子研究所获微电子学硕士 1993-1998年，清华大学电子工程系获本科学位 工作简历 1．2012年到现在，中科院微电子所射频集成电路研究室研究员，领导无线通讯射频技术实验室 2．2007年到2012年，美国MarvellSemiconductorInc,射频芯片设计经理/高级资深工程师，领导开发/量产GSM/TDSCDMA/WCDMA多模3G射频芯片,成功领导研发LTE(TDD-LTE/FDD-LTE)多模4G射频芯片 3．2006年5月-2006年8月，美国LinearTechnology,设计实习工程师，负责WIMAX低噪声放大器设计 4．2005年5月-2005年8月，美国AnalogDevice,设计实习工程师，负责高速基于锁相环的时钟产生器设计

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