所属院校:

中国科学院上海技术物理研究所

所属院系:

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研究领域:

为III-V族半导体光电材料与器件，包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等专利成果 （1）用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构,发明,2013,第1作者,专利号:ZL201010290302.9 （2）InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备,发明,2013,第1作者,专利号:2013102644206 （3）基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法,发明,2013,第2作者,专利号:2...

职称:

研究员

导师类型:

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招生专业:

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