所属院校:

中国科学院上海技术物理研究所

所属院系:

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研究领域:

主要从事红外物理、窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性，提出HgCdTe本征光吸收系数表达式和折射率表达式，确定了材料器件的...

职称:

研究员

导师类型:

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招生专业:

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