个人简介

钟绵增，博士，特聘副教授 山东潍坊人，2012年本科毕业于浙江师范大学获理学学士学位；2018年毕业于中国科学院半导体研究所获理学博士学位；2018年12月加入中南大学物理与电子学院工作。主要从事低维光电功能材料与微纳器件的制备及物性研究，已发表SCI论文30余篇，其中在Adv. Funct. Mater.; Nanoscale; 2D Mater.;npj 2D materials等国际知名期刊以第一作者发表16篇；主持国家自然科学基金青年项目一项。 主讲课程：《光学测量与光学工艺》 申请专利情况： (1) 李京波; 吴福根;陈颖, 钟绵增 一种三氧化钼薄膜的制备方法及制备的光电器件 , 2018.05.08-2036.03.03, 中国, ZL201610121111.7 (2) 钟绵增 ; 汤欣平; 李树深; 李京波, 一种二氧化钛-二硫化铁的核壳结构材料及其制备方法 , 2016.02.17-2035.10.09, 中国, CN201510650499.5 (3) 钟绵增 ; 汤欣平; 李树深; 李京波, 一种二硫化钒/石墨烯复合材料及其制备方法 , 2016.02.24-2035.10.09, 中国, CN201510650490.4 (4) 钟绵增 ; 吴宗泽; 孟秀清; 李庆跃; 李凯; 李京波, 一种电化学制备Zn4Sb3薄膜的方法 , 2013.03.19, 中国, CN201310087975.8