个人简介

教育经历 2008.09-2012.12，电子科技大学，材料物理与化学，博士 2002.09-2005.04，电子科技大学，材料物理与化学，硕士 1998.09-2002.07，山东师范大学，物理学，学士 工作经历 2015.11-2016.11，美国加州大学伯克利分校，访问学者 2012.12-至今，中国石油大学（华东），副教授 2008.01-2012.12，中国石油大学（华东），讲师 2005.04-2007.12，中国石油大学（华东），助教 主讲课程 本科生《材料结构表征及应用》、《纳米材料与技术概论》、《材料综合实验》研究生《薄膜技术与材料》 指导研究生及博士后 累计指导硕士生4人。 承担项目 1、国家自然科学基金青年项目2项 2016.01—2018.12，二硫化钼-硅异质结材料的制备、微结构与氢气敏感性能研究（项目编号51502348），骨干，在研。 2012.01—2014.12，LiNbO3/ZnO异质结的制备及电学性能（项目编号51102284），主持，已结题。 2、山东省自然科学基金1项 2016.06—2019.06，Pd掺杂对MoS2/Si异质薄膜光电性能调控机理研究（ZR2016AM15），主持，在研。 2010.10—2013.10，LiNbO3/GaN异质结的制备及电学性能（项目编号ZR2010Q017），主持，已结题。 4、自主创新基金3项 2018.01—2020.12，MoS2/Si异质薄膜的界面修饰机制和光伏性能研究（项目编号18CX02038A），主持，在研。 2015.01—2018.12，中国石油大学（华东）拔尖人才资助计划，主持，在研。 2014.05—2016.06，MoS2/Si异质薄膜的取向生长、掺杂效应及光伏性能研究（项目编号14CX05038A），主持，已结题。 荣誉称号 2015.01，中国石油大学（华东）拔尖人才 著作 1、郝兰众、韩治德、胡松青.材料物理实验，青岛，中国石油大学出版社，2018. 专利 授权国家发明专利10项： （1）刘云杰，郝兰众，韩治德，薛庆忠.一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及制备方法，2018.11.20，中国，ZL201610902726.3. （2）郝兰众，高伟，刘云杰，韩治德，薛庆忠.一种MoS2/Sip-n结太阳能电池器件及其制备方法，2017.06.06，中国，ZL201410699047.1. （3）郝兰众，高伟，刘云杰，韩治德，薛庆忠.Pd/MoS2/SiO2/Si/SiO2/In多结红外光探测器件及其制备方法，2017.03.08，中国，ZL201510386608.7. （4）郝兰众，刘云杰，韩治德，薛庆忠.一种具有ITO/Pd双层结构复合电极的MoS2/Si异质结光伏器件及其制备方法，2017.12.15，中国，ZL201610902913.1. （5）郝兰众，刘云杰，高伟，韩治德，薛庆忠.一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法，2016.09.14，中国，ZL201510034090.0. （6）郝兰众，刘云杰，高伟，韩治德，薛庆忠.一种Pd-MoS2异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法，2016.09.26，中国，ZL201510558994.3. （7）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法，2015.07.01，中国，ZL201210327192.8. （8）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.铁电薄膜/缓冲层/半导体集成器件及制备方法，2016.01.20，中国，ZL201210327259.8. （9）朱俊，郝兰众，吴志鹏，李言荣，张万里.一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，2013.04.03，中国，201110251405.9. （10）朱俊，廖秀尉，郝兰众，李言荣.半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，2013.06.12，中国，ZL201110266824.X.