研究员
任迪远
  • 所属院校:
    中国科学院新疆理化技术研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    主要研究领域: 1.数字电路、模拟电路及光电器件的总剂量辐射效应及损伤机理研究; 2.数字电路、模拟电路及光电器件的辐射损伤评估方法研究; 3.数字和模拟电路及器件的抗辐射加固技术研究;
  • 职称:
    研究员
  • 导师类型:
    博导
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

简历: 任迪远,男,汉族,1950年生于新疆。中共党员。 任迪远同志长期从事半导体辐射物理领域的研究工作,先后主持或承担了国家自然科学基金、国家“863”、航天科技预先研究、航天科技基金、中科院基础重点研究、赴美国耶鲁大学合作进行美国国家自然科学基金项目研究等20余项科研课题。获国家科技进步三等奖1项;中科院科技进步一等奖1项、二等奖2项、三等奖2项;新疆维吾尔自治区科技进步二等奖2项、三等奖1项。近期主要从事双极类器件和电路的低剂量率辐射损伤增强效应及实验室加速模拟评估方法的研究;大规模集成电路、SOI器件和电路的辐射损伤评估等方面的研究。目前已培养研究生26人(博士2人、硕士24人)。发表论文130余篇。 任迪远同志曾被国家863授予“《十五》国家863先进个人”称号,及中国科学院授予的“《十五》预先研究先进个人”称号。曾多次被评为新疆维吾尔自治区的优秀专家,享受国务院颁发的政府特殊津贴,并获2000年中国科学院优秀领导班子奖。

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