研究员
赵宏武
  • 所属院校:
    中国科学院物理研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    主要研究方向: 下一代信息存储与处理器件面临着记录单元尺寸减小导致的量子尺寸效应的挑战。如何实现对现有经典存储信息器件的升级,克服当前信息技术瓶颈的重要物理问题,以及开拓新的基于量子效应的量子信息存储与处理器件,是我们当前需要研究的前沿课题。我们将通过开拓先进实验技术,探索固态体系中电子、自旋、原子和受限系统与量子信息相关的物理现象,探索量子调控在信息器件中的应用,最终实现经典信息存储器件的升级换代以及固态量子计算和信息处理。主要研究内容包括: 1.新型拓扑量子材料。作为一种...
  • 职称:
    研究员
  • 导师类型:
    博导
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

简介: 1991年毕业于天津大学物理系,1997年于南京大学物理系获得博士学位。2000年在德国马普金属所作访问学者。2001-2003年在加州大学伯克利校区和劳伦斯-伯克利国家实验室作研究助理。2005-2007年期间多次在德国马普微结构物理所进行工作访问。 过去的主要工作及获得的成果: 围绕固态信息的新载体和新机理展开实验研究,工作成绩主要包括: 1、纳米结构的量子尺寸效应研究。系统研究了磁性超薄膜中的尺寸效应对铁磁-反铁磁交换作用、自旋重取向和量子阱态等现象的影响规律;观察到Pb/Si(111)系统中量子尺寸效应诱导的共振与散射电子态的振荡效应;研究并证实了Cu(111)表面态驻波的量子化与尺寸效应的关系; 2、氧化物阻变效应的材料和物理。开展了基于氧化物薄膜的阻变存储效应的材料和物理研究,发现尺寸效应、界面效应对电致电阻现象的影响,获得一系列具有随电场发生巨大电阻变化的电致电阻效应存储结构;首次利用电致发光和显微成像技术原位观测到单极阻变和双极阻变效应中导电通道的产生和湮灭的动力学过程,并进一步获得均匀界面阻变结构。 3.拓扑量子材料中的自旋相关输运。外延生长了多种拓扑绝缘体单晶薄膜,利用自旋塞贝克效应和自旋泵浦技术研究了自旋流在TI/FM异质结中的自旋注入和传输过程。 。在Phys.Rev.Lett.、Phys.Rev.B.和Appl.Phys.Lett.等国际学术期刊撰写科学论文100余篇。是多个国外学术期刊的审稿人。详情参见网页:http://ssqic.iphy.ac.cn/zhaohongwu.html 目前的研究课题及展望: 目前正在进行的研究项目有:中国科学院知识创新工程项目,国家自然科学基金会重点项目,以及科技部973和基础研究中长期计划项目等。主要开展以下凝聚态物理研究的前沿课题,力图探索和发展下一代信息技术、研制高容量的存储器。1.阻变存储器(RRAM)的材料、机制与器件研究2.新型拓扑量子材料3.自旋电子学的物理和材料 培养研究生情况: 每年拟招收硕博连读研究生1-3名。培养同学全面素质和能力,可提供国际合作机会和优厚待遇,欢迎有志者联系! 此外,课题组提供参观实验室、暑假短期实习、本科毕业设计以及联合培养机会,请感兴趣的同学联系我们。

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