研究员
郭海明
  • 所属院校:
    中国科学院物理研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    主要研究方向: 多年来围绕新型功能纳米结构的可控制备,新奇物性与功能调控开展研究,在单个原子/分子尺度上研究低维磁性纳米结构的性质及其调控方面,以及面向纳米电子器件的石墨烯二维材料和分子电子学材料等的制备、表征与物性方面,开展了系统的研究工作,取得了多项有国际影响力的创新性成果。具体的研究领域包括纳米结构和薄膜器件的构建及其物理,低维纳米结构和材料的制备与物性测试,扫描探针显微技术(SPM)和应用等领域的研究工作。最近研究兴趣包括太阳能电池材料(硅薄膜,硅量子点,CIGS薄膜...
  • 职称:
    研究员
  • 导师类型:
    博导
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

简介: 郭海明,男,1975年1月出生,现任中国真空学会秘书长。 1995年毕业于北京航空航天大学材料科学与工程系,获学士学位,1998年毕业于西北工业大学材料科学与工程系,获硕士学位,2004年毕业于中国科学院物理研究所,获凝聚态物理专业理学博士学位。2004-2006年在法国国家科研中心材料制造与结构研究所(CEMES-CNRS,图卢兹)博士后,在ChristianJoachim教授领导的纳米科学研究组从事功能纳米结构和电子器件的制备及其物性研究工作。2007年12月到2008年4月在德国慕尼黑大学物理系纳米科学中心(CeNS-LMU,WMI,慕尼黑)做访问学者。2007年到中科院物理研究所纳米物理与器件实验室工作,2009-2017年担任纳米物理与器件实验室副主任。 过去的主要工作及获得的成果: 在研究固体表面上单个磁性原子/分子的自旋态探测和调控方面,以及面向纳米电子器件的石墨烯和低维量子材料的结构与物性调控方面进行了系统的研究工作,取得了一些有国际影响力的创新性成果:1)国际上首次实验观测到和证实了单层石墨烯上磁性原子的近藤效应,并实现了基底对其近藤温度的调制(NanoLett.14,4011(2014),Appl.Phys.Lett107,071604(2015));2)利用高能量分辨的STM非弹性自旋激发谱技术,直接在原子尺度实现了对磁性原子间相互作用的调制,也首次实验证实了石墨烯可以作为媒介诱导产生非局域的RKKY间接交换相互作用(Phy.Rev.Lett.119,176806(2017));3)研究了石墨烯在氮化硼基底上的公度—非公度转变,他利用STM/AFM高分辨图像为其提供了原子尺度上最直接和确定的证据(Nat.Phys.10,451(2014));4)对“自然图案化”的新型二维原子晶体材料进行了结构表征,并利用磁性分子和原子等的选择性沉积吸附实现功能化,同时对其电子学和磁学特性进行了测试和研究(Nat.Mater.16,717(2017));5)在利用台阶-台面应力调制氧化物薄膜的电学特性方面开展了系列卓有成效的研究工作(J.Mater.Chem.C.2,5660(2014),ACSApp.Mater.Interf.6,6704(2014),6,8526(2014),2,2496(2010));6)在科研仪器的研制和搭建方面进行了创新性和有特色的工作,完成搭建了一台超高真空极低温矢量磁场扫描隧道显微镜mK-(9-2-2)T-UHV-STM和MBE-LEED联合系统,空间分辨率和能量分辨率在国际上处于先进水平。 主要工作业绩还包括在金属单晶基底上高质量单晶石墨烯薄膜的生长制备,用扫描隧道谱(STS)方法研究了Ru(0001)单晶表面graphene形成的Moiré超周期结构单元“零维的”量子点特性,这是首次报道发现基于石墨烯的大面积周期性量子点结构,还可能通过磁场、分子吸附或改变基底等方法进行调控(J.Phys.:Condens.Matter22:302001,Appl.Phys.Lett.,98:033101),同时利用插层的方法在石墨烯表面制备了大面积高度均匀有序硅量子点阵列;在利用“自上而下”的纳米图形加工技术与“自下而上”的分子自组装、SPM加工操纵技术相结合来制备分子纳米器件的前沿领域内做出了非常有特色的工作。研制了一种超高真空微超静间系统(UHVmicrocleanroom),采用静态和动态纳米模板沉积相结合的方法,实现纳米电子器件从纳米尺度到宏观尺度的电学连接和测量,并通过纳米模板沉积的方法实现了各种纳米结构和图案的制备[Rev.Sci.Instrum.79:103904,APL90,093113]。用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究Ge量子点在Si(111)表面的初期吸附,成核以及自组织生长,证明了Ge替代Si的吸附机制(Phys.Rev.Lett.,94:106101)。通过改进STM针尖,得到了国际上目前为止最高分辨的Si(111)7×7表面STM图像(Phys.Rev.B,70:073312)等。在单个原子/分子尺度上研究低维磁性纳米结构的性质及其调控方面,以及面向纳米电子器件的石墨烯二维材料和分子电子学材料等的制备、表征与物性方面,开展了系统的研究工作,取得了多项有国际影响力的创新性成果。发表SCI论文60余篇,其中包括Nat.Phys.1篇、Nat.Mater.1篇、Phys.Rev.Lett.1篇、NanoLett.1篇、Small1篇、Adv.Mater.2篇、2DMater.1篇、Appl.Phys.Lett.7篇、J.Phys.Chem.C6篇等,应邀撰写英文期刊评论3篇,学术书籍章节5章。全部论文引用1200余次,其中他引800余次。在国内外学术会议上作邀请报告30余次(国际邀请报告21次)。 主持和参加国家973纳米重大研究计划课题3项,科技部纳米重点专项1项,负责自然基金委面上项目3项,参与重点项目2项,参加科技部、基金委和中国科学院多个项目课题的研究工作。为Phys.Rev.Lett.、Phys.Rev.B、NanoLett.、Adv.Mater.、Appl.Phys.Lett.、NewJ.Physics、SolidThinFilm和Surf.Sci.等期刊的审稿人。 学术书籍章节: [1]H.M.Guo,Y.L.Wang,M.FengL.Gao,andH.J.Gao, “ProbingSingleMoleculeMotorsonSolidSurface”in<>,Chapter17. Ed.C.Joachim,Springer-VerlagBerlinHeidelberg(2012) [2]H.M.Guo,Y.L.Wang,andH.J.Gao, “ScanningTunnelingMicroscopyoftheSi(111)-7×7SurfaceandAdsorbedGeNanostructures”in<>,Chapter17. Eds.B.BhushanandH.Fuchs,Springer-Verlag,BerlinHeidelberg(2009) [3]Y.L.Wang,H.M.Guo,H.J.Gao, “GrapheneonCrystallineMetalSurfaces”,inBook<>.Chapter4 Eds.byKlausWandelt,WielyVCH(2013). [4]D.Martrou,L.Guiraud,E.Dujardin,S.Gauthier,J.Maris,M.Venegas,H.GuoandT.Leonietal, “TheDUFProject:AUHVFactoryforMulti-InterconnectionofaMoleculeLogicGatesonInsulatingSubstrate”in<>,Chapter4. Ed.C.Joachim,Springer-VerlagBerlinHeidelberg(2012) [5]Y.L.Wang,Q.Liu,H.G.Zhang,H.M.Guo,andH.J.Gao, “MolecularRotorsObservedbyScanningTunnelingMicroscopy”in<>,Chapter11. Eds.W.L.ZhouandZ.L.Wang,SpringerNYHeidelbergLondon(2011) 培养研究生情况: 已协助培养和指导博士毕业生12名,硕士毕业生14名。

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