个人简介

高双，博士，“春蕾人才”副研究员，教育背景： 2011.09~2016.06：清华大学，材料学院，材料科学与工程专业，博士 2007.09~2011.06：北京科技大学，材料科学与工程学院，材料物理专业，学士 工作经历： 2018.12~至今：中科院宁波材料所，磁性材料与机电装备事业部，副研究员 2016.07~2018.12：中科院宁波材料所，磁性材料与机电装备事业部，博士后/助理研究员硕士生导师 科研项目： 1. 国家自然科学基金面上项目，阻变存储器中磁性原子点接触的可控构建及输运特性研究，59万元，2020.01~2023.12，在研，主持； 2. 国家自然科学基金青年项目，阻变效应的光场调控规律及机理研究，28万元，2018.01~2020.12，在研，主持； 3. 宁波市自然科学基金项目，应用于类脑计算芯片的神经突触仿生光电忆阻器研究，5万元，2018.03~2020.03，在研，主持； 4. 中国科学院宁波工业技术研究院（筹）“优秀博士后”项目，阻变效应的光场调控及其逻辑应用研究，40万元，2017.06~2019.05，已结题，主持； 5. 中国博士后科学基金面上一等资助项目，Bi2O3/BiFeO3纳米复合薄膜的自组装制备与阻变性能研究，8万元，2017.03~2018.06，已结题，主持； 6. 支持“率先行动”中国博士后科学基金会与中国科学院联合资助优秀博士后项目，氧化还原类阻变存储器的性能优化关键技术，20万元，2016.07~2018.06，已结题，主持. 学术专著： 1. Shuang Gao, Xiaohui Yi, Jie Shang, Bin Chen, Gang Liu*, Run-Wei Li*, Flexible Resistive Switching Memories: From Materials to Devices (Chapter 4), in “Advances in Materials Science Research”, Volume: 34, Editor: Maryann C. Wythers, Pages: 157-186, Nova Science Publishers, New York, 2018. 发明专利： 1. 李润伟，陈威林，叶俊雅，高双. 高稳定的黑磷纳米片及其制备方法，以及阻变存储器及其制备方法，申请号：201910916963.9，申请日：2019-09-26. 2. 李润伟，叶俊雅，高双，汪爱英，郭鹏. 一种突触晶体管及其制备方法. 中国发明专利，申请号：201910899940.1，申请日：2019-09-23. 3. 李润伟，谢卓琳，高双，叶晓羽，公国栋. 构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法. 中国发明专利，申请号：201910824882.6，申请日：2019-09-02. 4. 李润伟，卢颖，伊晓辉，高双. 一种可拉伸的弹性阻变随机存储器及其制备方法. 中国发明专利，申请号：201910459428.5，申请日：2019-05-29. 5. 刘钢，卢颖，李润伟，高双，伊晓辉. 一种柔性可转移电子器件的制备方法. 中国发明专利，申请号：201811378481.4，申请日期：2018-11-19. 6. 高双，李润伟，刘钢. 一种光激励的神经突触仿生忆阻器及其制备方法. 中国发明专利，申请号：201811292353.8，申请日期：2018-11-01. 7. 高双，李润伟，刘钢. 一种高稳定的单极性阻变存储器. 中国发明专利，申请号：201710906459.1，申请日期：2017-09-29. 8. 高双，李润伟，刘钢. 基于阻变存储单元的逻辑运算器及利用其实现二元布尔逻辑运算的方法. 中国发明专利，申请号：201610858694.1，申请日期：2016-09-28. 9. 曾飞，高双，潘峰，宋成，崔彬，李起. 在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法. 中国发明专利，专利号：ZL201511000779.8，授权日：2018-06-22. 10. 李起，曾飞，潘峰，高双. 在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法. 中国发明专利，专利号：ZL201410705974.X，授权日：2017-06-16. 科研奖励： 1. 2018年北京市自然科学二等奖，阻变存储材料与器件若干基础问题研究，第五获奖人. 2. 2016年度中国真空学会真空科学优秀博士论文.