学生
王振兴
  • 所属院校:
    中国科学院大学
  • 所属院系:
    光电学院
  • 研究领域:
    低维半导体制备、性质调控及光电子器件
  • 职称:
    学生
  • 导师类型:
    硕导
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

招生方向 新型低维半导体纳米材料(一维、二维)的可控制备、物性调控; 新型电子、光电子及光信息器件 多体系复合材料的设计制备及其在能源、电子、光电子领域的应用。 教育背景 2006-02--2006-08 Alberta 大学,Canada 学术交流 2002-09--2009-05 中国科学技术大学 理学博士 1998-09--2002-07 中国科学技术大学 理学学士 工作简历 2013-04~现在, 国家纳米科学中心, 副研究员 2011-07~2013-03,国家纳米科学中心, 助理研究员 2009-07~2011-06,北京大学, 博士后 奖励信息 (1) 中国科学院卢嘉锡青年人才奖, 部委级, 2015 专利成果 ( 1 ) 单晶In2Te3纳米线及其制备以及准一维In2Te3纳米结构的宽谱光探测器及其制备, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310044301.X ( 2 ) 氧化锌/还原氧化石墨烯复合纳米材料及其制备方法以及紫外光探测器, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: 201210559381.8 ( 3 ) 一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: 201310455344.7 ( 4 ) 碳纳米管化学分子探测传感器及其制备方法, 发明, 2005, 第 3 作者, 专利号: 200510038641.7 ( 5 ) 10纳米级间隔的电极的制备方法, 发明, 2003, 第 2 作者, 专利号: 200310106004.X 科研项目 ( 1 ) 基于硅纳米线的单分子器件研究, 主持, 国家级, 2011-06--2013-12 ( 2 ) (In,Ga)2Te3一维纳米结构及其核壳复合材料的可控制备与光电性能研究, 参与, 国家级, 2013-01--2016-12 ( 3 ) 微纳惯性器件运动界面纳米效应基础问题研究, 参与, 国家级, 2012-01--2016-08 ( 4 ) 中科院青促会项目, 主持, 部委级, 2014-01--2017-12 ( 5 ) 新型过渡金属硫属化合物二维半导体:可控制备、物性表征及光电子器件, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12

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