个人简介

赵德刚，男，博士，研究员，博士生导师。 1972年出生。现任中科院半导体所光电子研究发展中心主任。2009年国家杰出青年科学基金获得者，2011年第十二届中国青年科技奖获得者，2017年国家百千万人才工程入选者，2018年国家中青年科技创新领军人才入选者，2019年第四批国家万人计划入选者，国家重点研发计划首席科学家，享受国务院政府特殊津贴专家，中国科学院特聘研究员。1994年、1997年在电子科技大学微电子科学与工程系分别获得学士和硕士学位，2000年在中国科学院半导体研究所获得博士学位。博士毕业后一直留所工作至今，主要从事GaN基光电子材料生长与器件研究，对材料生长机理、材料物理、器件设计及器件物理有较深入的理解和认识，解决了GaN材料大失配异质外延技术等关键难题，研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，还在碳杂质研究做出了系统性、创新性工作。主持和承担了国家重点研发计划、863、国家自然科学基金等多个项目，在AppliedPhysicsLetters等著名学术刊物上发表SCI论文270多篇，获得国家发明专利30多项，撰写中文、英文专著各一章。 取得的主要学术成绩如下： 在GaN材料方面，我们深入研究了缓冲层原理，提出了独特的MOCVD外延方法，生长出高质量的GaN材料，室温下电子迁移率超过1000cm2/Vs，这是目前国际上MOCVD外延的最好结果[D.G.Zhaoetal,APL89,112106(2006)]；创造性提出了复合缓冲层结构，突破了无裂纹的AlN外延材料技术，其（002）、（102）面XRD半高宽均可控制在200弧秒；发现室温下GaN材料的应力状态主要取决于外延层和衬底之间的热失配，还发现GaN材料中的“黄光缺陷”和“蓝光缺陷”与刃位错和碳杂质紧密相关，并初步建立了GaN的光学、电学、结构性质的关系模型；发现了碳杂质对p-GaN材料的补偿效应，提出了少量掺氧的p型杂质激活方法，解决了p型掺杂难题。 在GaN器件方面，设计出能够监测紫外波长的新型器件，提出了利用紫外探测器的响应光谱对p-GaN载流子浓度进行测量的新方法；研究了p-GaN的欧姆接触工艺技术，实现了良好的欧姆接触特性，揭示了欧姆接触、空位缺陷和碳杂质对探测器的影响机理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的电荧光光谱随注入电流变化的机制，并提出了相应的物理模型；提出了降低吸收损耗、抑制电子泄漏的多种激光器新结构，阐述了V型缺陷和碳杂质破坏发光器件性能的物理机制；研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器以及紫外雪崩光电探测器。 本人指导的研究生获得了中国科学院院长奖、国家奖学金、王守武奖学金、朱李月华优秀博士生奖等多种荣誉，本课题组拥有MOCVD设备及多种材料和器件测试分析仪器，实验条件较好，目前主要招收硕博连读生及博士生。 在研/完成项目： 1、国家重点研发计划：“面向激光显示的三基色半导体激光器（LD）关键材料与技术基础研究”，2016.07-2020.12，主持 2、国家高层次人才计划：“GaN基光电子材料与器件”，2015.01-2017.12，主持 3、国家杰出青年科学基金：“GaN基光电子材料与器件的基础问题”，2010.01-2013.12，主持