个人简介

张韵，男，博士，研究员，博士生导师。 国家高层次人才计划入选者。现任中国科学院半导体研究所副所长、纪委副书记，“十二五”科技部“第三代半导体材料”总体专家组成员。清华大学电子工程系电子科学与技术专业学士，佐治亚理工学院电子与计算机工程系博士。曾就职于美国高平（Kopin）半导体公司III-V部门从事研发工作。2012年初进入中国科学院半导体研究所工作。目前科研重点是AlGaN/GaN基大功率高频／电力电子器件、AlGaN基深紫外波段光电子材料与器件等。 取得的重要科研成果： 在III族氮化物（GaN基材料）等第三代半导体材料及器件物理领域开展了多年研究，获得了首个GaN基射频异质结双极晶体管（HBT）、高灵敏度深紫外雪崩光电二极管（APD）、高亮度深紫外发光二极管（LED）、电注入蓝绿光半导体激光器（LD）、光泵浦深紫外半导体激光器等世界先进的研究成果，已在国际学术期刊发表论文30余篇。 （1）提出紫外光加强湿法刻蚀方法以及双台面耗尽层设计，降低GaN基紫外雪崩光电二极管的表面漏电流，在GaN体衬底上达到雪崩光电增益超过104并实现具备单光子探测能力的盖革模式工作。 （2）在GaN体衬底上实现了420nm蓝紫光和460nm蓝光InGaN基半导体激光器的室温连续激射，证实渐变AlGaN电子阻挡层能够大幅度提升InGaN基激光器的性能。 （3）在蓝宝石衬底上实现了最高响应频率大于5.3GHz的GaN基射频异质结双极晶体管。并在GaN体衬底上达到了141KA/cm2的电流密度以及3.05MW/cm2的功率密度。 （4）在我国首次实现AlGaN基激光器短于280纳米深紫外UV-C波段光泵谱激射，并在280纳米波段深紫外LED中实现100mA大电流注入下光功率输出超过10mW，寿命（L80）超过3000小时。 在研/完成项目： （1）科技部863课题“高铝组分氮化物制备技术研究”，负责人，执行期2014-2016年，总经费665万 （2）国家自然基金面上项目“GaN基HBT射频性能提升研究”，负责人，执行期2014-2017年，总经费85万 （3）北京市科委重大项目课题“深紫外LED材料与芯片自主研制”，负责人，执行期2016-2017年，总经费500万