副研究员
张艳华
  • 所属院校:
    中国科学院半导体研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    新型低维半导体结构材料生长及器件,锑化物红外探测器,太赫兹探测器。
  • 职称:
    副研究员
  • 导师类型:
    --
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

张艳华,男,博士,副研究员,硕士生导师。 2005年-2007年从北京理工大学获得硕士学位,硕士期间主要从事分子束外延(MBE)低维材料生长工作。2007年-2019年在中国科学院半导体研究所工作,主要从事量子点、量子阱红外探测器方面的研究。2009年-2012年在中国科学院半导体研究所获得博士学位,主要从事InAs/GaSbII类超晶格红外探测器的研究。并留所工作,目前,主要从事锑化物红外探测器和太赫兹探测器的研究。在国内外各种期刊上发表论文30余篇,申请专利6项,授权2项。 取得的重要科研成果: 成功研制出具有极高晶体质量的InSb和混合型两种界面类型的长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器,证实InSb界面优于混合界面,并首次进行了物理解释。在国际上首次报道了两端电压调制窄带长波/甚长波双色InAs/GaSbII类超晶格红外探测器。国际上首次报道了最短波长为1微米的InAs/GaSbII类超晶格红外探测器。与兄弟单位合作研制成功二类超晶格中波、长波及中/长波双色红外焦平面阵列器件。 在研/完成项目: 1.国家自然科学基金青年项目,“甚长波InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器材料及其新型界面研究”,2014/01-2016/12。项目负责人 2.国家自然科学基金面上项目,“反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究”,2018/1-2021/12。项目负责人 3.北京市自然科学基金面上项目,“反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测器材料生长研究”,2018/1-2019/12。项目负责人 4.国家973项目,“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”,2010.1-2014.12,469万,参加。 5.其他项目,850万,2016.01-2018.12,参加。

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