个人简介

魏学成，男，博士，副研究员，硕士生导师。 2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业博士学位；同年留所工作至今。目前主要从事III族氮化物材料的生长与表征，包括AlN单晶材料生长、半导体材料与器件的光学性质和杂质分布、紫外LED模组可靠性和应用等相关研究工作。 取得的重要科研成果： 主要从事第三代半导体材料AlN单晶生长研究，设计搭建了国内最早的AlN单晶生长炉；开展了LED内量子效率的研究，提出了LED量子阱结构优化和光学表征等创新性设计；完善了二次离子质谱仪表征半导体材料杂质含量的条件，提升了杂质检测限；开展了紫外模组老化和可靠性研究，完成了紫外应用模组的开发设计。在OpticsLetters，OpticsExpress，AppliedPhysicsLetters等发表SCI论文50多篇，申请发明专利20余项，授权10余项（其中第一申请人授权3项），制定国家标准2项。 在研项目： （1）国家自然科学基金面上项目，“基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究”，项目负责人，2017.1-2020.12； （2）国家重点研发计划项目子课题，基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究，子课题负责人，2018.5-2020.4； （3）国家重点研发计划项目课题，“材料生长”，课题负责人，2016.7-2020.6； （4）基金委国家重大科研仪器研制项目，高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制，参与，2016.1-2020.12。