个人简介

孟磊，男，工学博士，副研究员，硕士生导师。 2008年获取东北大学学士学位。2011年获取中科院上海硅酸盐研究所硕士学位。2016年3月获取日本东京工业大学电子物理工程专业博士学位。博士毕业后至2017年3月在东京工业大学工学院山田明课题组任博士后研究员。2017年7月经中科院率先行动“百人计划C类”人才项目来到中科院半导体研究所工作。迄今已在ACSAppliedMaterials&Interfaces、SolarEnergyMaterialsandSolarCells和IEEEJournalofPhotovoltaics等重要期刊上发表论文20余篇(第一作者14篇，JCR一区论文5篇)，以第一发明人申请中国发明专利5项(授权专利1项)。 取得的重要科研成果及所获奖励： 1.采用非真空溶胶-凝胶法研制出电阻率达9.8×10-4Ω∙cm的掺铝ZnO(简称AZO)和低电阻率(8.2×10-3Ω∙cm)且宽禁带(3.66eV)的掺铝Zn0.8Mg0.2O透明导电薄膜，材料性能接近采用昂贵真空设备的磁控溅射法制备的同种材料，为太阳电池和有机发光二极管等光电器件提供低成本的透明电极材料。 2.采用真空蒸发法及热处理工艺，在AZO的表面制备出一种低阻多晶态Zn3Mo2O9-d表面改性材料，通过增加群电负性和钼离子氧化态，使AZO表面功函数从3.83eV提高到4.86eV，促进AZO与p型半导体材料之间界面的载流子输运，在不增加串联电阻的前提下提高薄膜太阳电池的光电性能。为透明导电薄膜的表面改性研究领域开拓一个新方向。 3.提出发展光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底，将光散射界面和吸收层生长面分离，实现低表面粗糙度(<10nm)、低薄膜电阻(<40Ω/sq)且强光散射(光学雾度Haze>10%)；应用于非晶硅薄膜太阳电池，在获得低缺陷密度高质量吸收层材料的同时，增强陷光效应而增加光吸收，降低电池中非辐射复合损耗和光学损耗而提高光电转化效率。为薄膜太阳电池技术发展提供一种新思路。 在研/完成项目： 1．国家自然科学基金青年科学基金项目“面向钙钛矿太阳能电池的光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的设计与制备”，2019.01-2021.12，主持。 2．中国科学院“百人计划(C类)”专项基金，2018.01-2020.12，主持。 3.科技部重点研发计划项目“等离激元超晶格阵列及突破衍射极限纳米激光器研究”，2019.08-2023.07，参与