个人简介

刘兴昉，男，博士，副研究员，硕士生导师。 1999年毕业于中南大学材料系，获工学学士学位，2004年毕业于中南大学粉冶所，获工学硕士学位，2007年毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体的研究，工作内容包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究，主持多项课题研究工作，获得北京市产品质量创新成果奖一项，在国内外学术期刊上发表研究论文40余篇，获得国家授权专利8项。 主持课题研究： 1. 4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究，国家自然科学基金，2016.1-2019.12 2. SiCIGBT外延缺陷转化机理及控制技术研究，国家重点专项子课题，2018.7-2021.6 3. 4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究，国家自然科学基金，2013.1-2016.12 4. 用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究，北京市自然科学基金，2013.1-2015.12 5. 国产6英寸碳化硅外延材料制备技术研究，北京市科技计划，2016.1-2017.12 6. 外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目，2008.10-2010.11 7. 先进功率半导体材料与器件研究，企业攻关项目，2010.5-2012.6 参与课题研究： 1. 基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究，国家重点专项课题，2016.7-2021.6 2. 分布式智能电网关键技术研究，中国科学院知识创新工程，2009.10-2012.9 3. 半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究，北京市科委项目，2009.7-2010.8 4. 大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统，中国科学院重大科研装备项目，2007.10-2009.9