副研究员
段瑞飞
  • 所属院校:
    中国科学院半导体研究所
  • 所属院系:
    --
  • 研究领域:
    化合物半导体外延以及其在氮化物LED等光电子器件中的应用,涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生长III-V族化合物,主要包括氮化物的同质衬底、LED外延材料以及LED器件制备等领域。
  • 职称:
    副研究员
  • 导师类型:
    --
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

段瑞飞,男,博士,副研究员,硕士生导师。 1975年6月出生。1997年于内蒙古大学物理系获得理学学士学位,2000年于北京科技大学材料物理系获得工学硕士学位,2003年于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2003-2005年在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。2005年4月至今在半导体所工作。 目前承担863重大项目“半导体照明工程”子课题”HVPE法制备GaN同质衬底“,参与相关863项目以及基金项目等多项。在国内外刊物上发表相关论文十余篇,申请专利多项。

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