个人简介

曾一平，男，研究员，博士生导师。 1983年毕业于中国科学技术大学。长期从事分子束外延（MBE）化合物半导体微结构材料、新型器件和电路的研究工作。 取得的重要科研成果及所获奖励： “八五”期间在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料；“九五”期间研制出具有正入射吸收的长波长量子点红外探测器和新型InAs/GaAsHall器件；“十五”期间研制出最高质量的InPHEMT结构材料，并与器件研制单位合作研制出了振荡频率达150GHz的InP基HEMT器件，完成了分子束外延GaAs和InP基微结构材料的实用化生长技术。 先后发表研究论文60余篇，获得国家科技进步二等奖两项、中国科学院科技进步一等奖两项、三等奖一项、“八五”科技攻关个人成果奖一项，2007年度中国材料研究学会科学技术进步二等奖1项。