个人简介

超大规模集成电路的研究，现担任“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”课题首席专家, 该项目属国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”.中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜（Dual Stress Liner）、应力近临技术（stress proximity technique）、减薄栅极的应变MOSFET等； · 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。 经历： 1982-09--1988-07 北京师范大学 理学物理博士 1978-03--1982-07 中国科学技术大学 理学学士