教授
吕志超
  • 所属院校:
    中国科学技术大学
  • 所属院系:
    先进技术研究院
  • 研究领域:
    面向下一代存储,存内计算以及边缘计算,基于新型存储器的器件,电路以及系统的研究。代表性成果简介 领导了16MbitRRAM芯片从工艺集成,器件设计,电路设计,芯片架构到流片成功,实现了高良率和高可靠性的RRAM独立芯片。基于实现的RRAM芯片,创立了合肥睿科微电子有限公司。在先进CMOS逻辑和存储器件设计有丰富的经验,基于先进节点的FDSOI平台,打破了BBoltzeman极限,实现了最低的晶体管亚阈区斜率,同时集成了无电容DRAM存储器,完成了SoC芯片平台的集成。 应用、...
  • 职称:
    教授
  • 导师类型:
    --
  • 招生专业:
    --
个人简介

个人简介

主要学习、工作、出国经历 2018-05 – 现在: 合肥睿科微电子有限公司,合肥 2012 – 2018: Rambus Inc,美国Sunnyvale 2010 – 2012: Globalfoundries ,美国Sunnyvale 2010 – 2010: IMEC 欧洲微电子中心,比利时Leuven 2005 – 2010: University of Florida,美国Gainesville

以上内容源自网络公开信息,仅作学术交流之目的,非为商业用途。
如若涉及侵权事宜,请及时与我们联络,我们将即刻修正或删除相关内容。
联系方式:+86 191 9534 4490。
去登录