个人简介

王广才，1987年7月南开大学电子科学系本科毕业，获学士学位，1996年7月南开大学光电子所博士毕业，获博士学位。1998~2005年在香港MOSDESIGN (HK) LTD.访问学者。发表论文16篇，主持4项科研项目。研究方向有：硅基薄膜太阳电池的设计、测试和制备技术；锑化铟薄膜霍尔元件的研究、制备和测试；集成电路设计、测试。目前主要从事薄膜光电子材料与器件的研究与测试仪器开发工作。