个人简介

1992,9-1996,7 南京大学物理系，半导体专业本科学生； 1996,9-2001,7 南京大学物理系，微电子专业，获理学博士学位； 2001,9-2004,9 香港科技大学电机与电子工程系，副研究员； 2004,9-2013,2 香港微晶先进光电技术有限公司，创始人之一，历任高级工程师，研发部经理，研发总监； 2013,2-今 南京大学电子科学与工程学院，教授。 研究生期间，在国内率先利用光加热低压金属有机化学气象沉积生长了高质量的GaN和AlGaN，在国际上首次提出用肖特基C-V特性模拟法准确测算极化电荷密度。2001年9月到2004年9月，在香港科技大学工作期间，在国际上率先提出并实现了复合沟道结构的GaN基 高电子迁移率晶体管（HEMT）；生长制备出性能达到同期国际先进水平的GaN-LED和HEMT器件。2004年9月到2013年2月参与香港微晶先进光电科技有限公司和其子公司晶科电子的创建和发展工作期间取得了一系列富有创新性的科技成果：成功开发出倒装焊大功率LED，亮度可靠性指标达到国际领先水平；在国际上首次成功开发出集成驱动电路的芯片级光源；成功开发出倒装焊HV-LED器件，获得“2010国家半导体照明创新大赛”产品创新大奖；成功开发出晶片级无金线陶瓷基板大功率封装光源及其模组制造技术等等。他的研究成果已在产业界应用，产生了效益，并在国内外产业界产生了较大的影响。共发表SCI收录论文50多篇，获得专利10多项