赵桂娟,女,博士,副教授。2008年7月毕业于浙江大学材料科学与工程专业,获得工学学士学位;后免试进入中国科学院半导体研究所硕博连读,并于2013年7月获中国科学院大学材料物理与化学专业工学博士学位。2013年7月-2018年9月在中国科学院半导体研究所任助理研究员;2018年9月加入兰州大学物理科学与技术学院任副教授。主要从事宽禁带半导体材料及其器件的理论和实验研究、MOCVD生长技术研究等工作。目前主持国家自然基金面上项目和青年项目各一项,作为核心成员参与自然基金面上项目、重大仪器研制项目和国家重点研发计划等多项。在III族氮化物半导体材料的物性模拟、MOCVD外延生长,III族氮化物黄绿光至深紫外波段发光器件等方面开展了深入研究,取得了一系列创新研究成果,先后在Appl. Phys. Lett.、Scientific Reports、Nanoscale、J. Appl. Phys.等国际核心期刊发表论文二十余篇,获得授权和申请的国家发明专利数项。