个人简述:

硕博期间多次获得奖励，2011年获得宁波大学“曹光彪科研优秀奖”一等奖，2014年获中科院院长奖学金优秀奖。2011年起为“Applied Physics A”、“Journal of Physics and Chemistry of Solids”和“Infrared Physics & Technology”等国际知名期刊的审稿人。第一作者发表SCI论文20余篇，申请国家发明专利5项。主要从事相变存储薄膜及热电材料的性能研究。

主要经历及任职：

1.2017/7-2018/7，德国莱布尼茨表面改性研究所，访问学者

2.2014/7-至今，宁波大学高等技术研究院

3.2011/9–2014/7，中国科学院上海技术物理研究所，物理电子学，博士

4.2008/9–2011/3，宁波大学，通信与信息系统，硕士

5.2004/9–2008/7，黄河科技学院，通信工程，学士

科研工作:

近5年来，以第一作者或通信作者发表论文30余篇（中科院版JCR分区大类一区1篇，二区8篇），授权发明专利5项，部分成果如下：

1、G.X. Wang, C. Li, D.T. Shi, et al. Controllable crystal growth and fast reversible crystallization-to-amorphization in Sb2Te-TiO2 films, Scientific Reports, 2017, 7:46279.

2、G.X. Wang, J.J. Li, D.F. Qi, et al. Controllable phase separation and improved grain growth mode of Mg-doped Sb7Te3 films, Ceramics International, 2017, In press, https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2017.06.114

3、C. Li,G.X. Wang* (Corresponding author), D.F. Qi, et al. Suppression for an intermediate phase in ZnSb films by NiO-doping, Scientific Reports, 2017, In press.

4、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al. Improved thermal stability of C-doped Sb2Te films by increasing degree of disorder for memory application, Thin Solid Films,2016,615:345-350.

5、G.X. Wang, Y.M. Chen, X. Shen, et al. Controllable formation of nano-crystalline in Sb4Te films by Zn doping，J. Appl. Phys., 2015, 117(4):045303.

6、G.X. Wang, Y.M. Chen, X. Shen, et al. Reversibility and stability of ZnO-Sb2Te3 nanocomposite films for phase change memory application, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2014, 6:8488.

7、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al. Improved phase-change characteristics of Zn-doped amorphous Sb7Te3 films for high-speed and low-power phase change memory, Appl. Phys. Lett., 2013,103:031914.

8、G.X. Wang, Q.H. Nie, X. Shen, et al. Phase change behaviors of Zn-doped Ge2Sb2Te5 films, Appl. Phys. Lett., 2012,101:51906.

9、X. Shen, G.X. Wang, R.P. Wang, et al. Enhanced thermal stability and electrical behavior of Zn-doped Sb2Te films for phase change memory application, Appl. Phys. Lett., 2013,102:131902.

10、Y.M. Chen, G.X. Wang, X. Shen, et al. Crystallization behaviors of ZnxSb100-x thin films for good data retention applications, CrystEngComm, 2014,16:757-762.

11、J.J. Li, G.X. Wang, J. Li, et al. Fast crystallization and low-power amorphization of Mg-Sb-Te reversible phase-change films,CrystEngComm, 2014,16(32):7401-7405.

12、G.X. Wang, X. Shen, Y.G. Lu, et al. Understanding the role of Zn in improving the phase change behaviors of Sb2Te3 films, Thin Solid Films, 2015, 585：57-65.

13、G.X. Wang, X. Shen, Y.G. Lu, et al. Investigation on pseudo-binary ZnSb-Sb2Te3 material for phase change memory application, J. Alloy Compd., 2015, 622: 341-346.

14、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al, Characterization of physical properties for Zn-doped Sb3Te films, Appl. Phys. Express, 2013,6:095801. 15、G.X. Wang, Q.H. Nie, X. Shen, et al. Advantages of Zn1.25Sb2Te3 material for phase change memory, Mater. Lett., 2012,87(15)135~138.

16、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, R.P. Wang, L.C. Wu, Y.G. Lv, F. Chen, J. Fu, S.X. Dai, J. Li. Improved thermal and electrical properties of the Al-doped Ge2Sb2Te5 films for phase-change random access memory, J. Phys. D: Appl. Phys., 2012,45:375302.

17、G.X. Wang, X. Shen, Q.H. Nie, et al. Te-based chalcogenide films with high thermal stability for phase change memory, J. Appl. Phys., 2012,111:093514.

18、G.X. Wang, Q.H. Nie, X.S. Wang, et al. New far-infrared transmitting Te-based chalcogenide glasses, J. Appl. Phys., 2011,110:043536.

无

主持国家自然科学基金青年基金1项，省部级项目2个，宁波市自然科学基金1个。清单如下：

1、国家自然科学基金青年基金：Zn-Sb基纳米复合相变薄膜的可控晶化和界面微结构稳定性研究，项目批准号：61604083，起止时间：2017.01-2019.12

2、浙江省自然科学基金：高性能纳米复合相变材料的设计、制备及相变机理研究，项目批准号：LQ15F040002，起止时间：2015.01-2017.12

3、国家重点实验室开放基金：红外多光谱硫卤玻璃的制备及性能，项目批准号：M201510，起止时间：2015.7-2017.6

4、宁波市自然科学基金：基于结晶诱导相变功能复合薄膜的制备与界面稳定性研究, 项目批准号：2017A610094，起止时间：2016.6.1-2018.5.31

1、指导本科生团队一作品“新型纳米复合相变薄膜的优化设计与制备”获得2017年浙江省第十届挑战杯大学生课外学术科技作品竞赛特等奖及公开答辩最佳创意奖（全省仅2名）。