科研工作:

陈松岩，男，1995年博士毕业至今20年来一直致力于大失配光电子材料薄膜外延生长和光电子器件制备研究：1995-2003年在国家青年基金和福建省青年重点基金资助下主要从事MOCVD外延InP基GaAs材料和GaAs/InP MESFET 器件，通过直接键合获得GaAs 基InP/InGaAs PIN探测器等。2004年至今主要从事UHVCVD、MBE外延Si基SiGe、Ge和GeSe、SiSe等材料和光电器件制备：特色性工作有采用自限制法实现Ge表面Se钝化，提高Ge的金属Al电极的热稳定性，退化温度提高至700度；提出采用非晶锗（a-Ge）插层可有效调制金属与Ge接触势垒高度，观测并解释随a-Ge厚度变化势垒高度周期变化；用球面波理论解释并验证了激光与半导体表面相互作用多样化形貌形成原因；采用智能剥离技术制备出高质量的GOI材料，提出三步抛光法将RMS降至0.16纳米，并制备出GOI结构波导探测器；制备出具有正入射响应的SiGe/Si子带跃迁红外探测器原型器件；发表SCI收录论文60余篇， 获得国家发明专利11项。