科研工作:

李成，1970年12月出生，理学博士，厦门大学物理系教授/博士生导师。
2004.4－　　厦门大学物理系，副教授、教授，2007年入选教育部新世纪人才计划
2002.1-2004.3 日本筑波大学物理工学系，量子电子学，助手
2000.7-2001.1 中国科学院半导体研究所，物理学，博士后，副研究员资格
1997.8-2000.7 中国科学院半导体研究所，微电子与固体电子学，博士研究生毕业
1995.6-1997.8　西安微电子技术研究所，集成电路设计，助理工程师
1992.8-1995.6 　兰州大学物理系，凝聚态物理，硕士研究生毕业
1988.8-1995.6　兰州大学物理系，固体电子学，本科
主要成果：1) 系统地研究了大晶格失配材料系锗/硅的外延技术，利用低温缓冲层技术在硅衬底上制备出低位错密度的锗薄膜。在此基础上，外延出高质量张应变Ge/SiGe多量子阱结构，并首次观测到锗量子阱直接带室温光致发光及其量子限制效应。在硅衬底上外延出调制掺杂Ge/SiGe异质结构，发现调制掺杂可有效提高锗直接带的发光强度，并采用SOI衬底观测到微腔增强的室温光荧光 这些结果对具有间接带特性的Ge/Si材料用于光电子器件的可行性提供了重要的实验依据。采用外延的材料，研制出硅基锗长波长光电探测器。
2) 研究了硅基SiGe薄膜的氧化行为和氧化过程中应变的弛豫机理，澄清了一直存在争议的SiGe氧化过程中氧化速率饱和的作用机理，修正了Deal-Groove模型在氧化SiGe中的应用，指出氧分子在氧化物中的扩散仍然是限制氧化速率的关键因素。采用外延和氧化相结合的方法制备出锗组份可控的SGOI衬底，是发展下一代微电子器件的重要材料
3)利用UHV/CVD和MBE系统在国际上首次研制出硅基SiGe/Si多量子阱系列共振腔增强型光电探测器，将同类器件的量子效率提高了5倍以上。研究成果连续两次被美国光电子杂志Laser Focus World(WDM Solution)撰文在新闻栏目(newsbreak和R&D notes)中跟踪报道。该项研究的主要结果分别被Academic press出版的专著“Silicon germanium strained layers and heterostructure”和Springer公司出版的专著“Optical interconnect， the silicon approach”收入，并给予较高的评价。
4）提出并优化硅化铁纳米颗粒pin发光二极管结构，研制出室温低电流密度下发光的硅基电致发光器件，达到当时国际最好水平。
在国内外杂志如Applied Physics Letters，IEEE PTL，Nanotechnology等和会议上发表论文100多篇，其中被SCI收录80余篇，被引用450余次，被EI收录20余篇。获得4项中国发明专利。

教育背景:

李成，1970年12月出生，理学博士，厦门大学物理系教授/博士生导师。
2004.4－　　厦门大学物理系，副教授、教授，2007年入选教育部新世纪人才计划
2002.1-2004.3 日本筑波大学物理工学系，量子电子学，助手
2000.7-2001.1 中国科学院半导体研究所，物理学，博士后，副研究员资格
1997.8-2000.7 中国科学院半导体研究所，微电子与固体电子学，博士研究生毕业
1995.6-1997.8　西安微电子技术研究所，集成电路设计，助理工程师
1992.8-1995.6 　兰州大学物理系，凝聚态物理，硕士研究生毕业
1988.8-1995.6　兰州大学物理系，固体电子学，本科
主要成果：1) 系统地研究了大晶格失配材料系锗/硅的外延技术，利用低温缓冲层技术在硅衬底上制备出低位错密度的锗薄膜。