个人简介

个人简介 陈永和，男，广西桂林人，工学博士，讲师。2004年本科毕业于西安电子科技大学，电子科学与技术专业；2015年毕业于西安电子科技大学，微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位。2016年至今，在桂林电子科技大学进行教学和科研工作。博士期间，在西安电子科技大学宽带隙半导体材料与器件重点实验室进行了多年了III-V材料与器件的研究工作，主要从事GaNHEMT器件的机理研究、器件结构设计与工艺、微波功率器件及集成电路方面的研究。近年来，作为主要完成人参与国家自然科学基金项目国家级项目6项，总装预研项目1项，国家重大专项1项。研究领域：宽带隙半导体材料及器件，微波集成电路。主持和参与国家“核高基”重大科研专项：**波段GaN微波功率器件、国家自然科学基金重点项目：GaN基功率器件基础问题研究、总装基础预先科研项目：GaN基E/D模抗**电路技术等多项国家及省部级科研项目。在APPLIEDPHYSICSLETTERS、JournalofAppliedPhysics、ChinesePhysicsB、AIPAdvances、ChineseJournalofSemiconductors等SCI和EI源刊杂志上发表和录用论文10余篇。